Siliciumcarbide is een anorganisch halfgeleidermateriaal bestaande uit silicium (Si) en koolstof (C) in een verhouding van 1:1, waardoor een unieke Si-C-tetraëdrische structuur ontstaat. Deze structuur geeft siliciumcarbide uitstekende fysische en chemische eigenschappen, waaronder een hoge hardheid (de tweede na diamant), een grote bandafstand (tot 3,26 eV), hoge thermische geleidbaarheid, hoge bedrijfstemperatuur, hoge corrosieweerstand, enz.
